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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 4，990-993 作者:  刘新宇;  陈晓娟;  邵刚;  刘键;  和致经 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan Hemt Fc 倒扣 热阻   硅射频微带电路S参数模拟研究 期刊论文 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 241-244 作者:  韩振宇;  李树翀;  汪锁发;  赵知夷 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 硅片  微带电路  S参数  反射  传输   先进的深亚微米工艺技术及新型器件 成果 2004 主要完成人:  赵知夷;  叶甜春;  刘训春;  吴德馨;  李兵 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/09/07 1-1.5微米新工艺及新器件结构的探索性研究 成果 1992 主要完成人:  张健欣;  徐秋霞;  汪锁发;  龚义元;  户焕章 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/09/06 TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究 期刊论文 半导体学报, 1989 陶江; 赵铁民; 张国炳; 王阳元; 汪锁发; 李永洪 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 TiSi_2  MOSFET  多晶硅  自对准技术  MOS电容  临界值  栅氧化层