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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 結晶成長方法および半導体発光素子 专利 专利号: JP3269344B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25 作者:  石橋 明彦;  伴 雄三郎;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子 专利 专利号: JP1997289351A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04 作者:  上村 信行;  石橋 明彦;  粂 雅博;  伴 雄三郎;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1997275226A, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21 作者:  伴 雄三郎;  石橋 明彦;  上村 信行;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP1997270569A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14 作者:  粂 雅博;  伴 雄三郎;  石橋 明彦;  上村 信行;  武石 英見 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18