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| 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者: 石橋 明彦; 萬濃 正也; 大仲 清司; 武石 英見
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| 結晶成長方法および半導体発光素子 专利 专利号: JP3269344B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-03-25 作者: 石橋 明彦; 伴 雄三郎; 武石 英見
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| 半導体発光素子 专利 专利号: JP1997289351A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04 作者: 上村 信行; 石橋 明彦; 粂 雅博; 伴 雄三郎; 武石 英見
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| 半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法 专利 专利号: JP1997275226A, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21 作者: 伴 雄三郎; 石橋 明彦; 上村 信行; 武石 英見
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| 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP1997270569A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14 作者: 粂 雅博; 伴 雄三郎; 石橋 明彦; 上村 信行; 武石 英見
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