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半導体発光素子 专利
专利号: JP3769872B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-04-26
作者:  森田 悦男;  河合 弘治
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3713692B2, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-11-09
作者:  森田 悦男
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具有解理表面的半导体器件 专利
专利号: CN1104766C, 申请日期: 2003-04-02, 公开日期: 2003-04-02
作者:  森田悦男;  河合弘治
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半導体発光装置および半導体装置 专利
专利号: JP1999068237A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  森田 悦男
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2821600B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-05
作者:  池田 昌夫;  森田 悦男
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半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP1997181392A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者:  森田 悦男;  河合 弘治
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光半導体装置 专利
专利号: JP1996051251A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
作者:  松元 理;  冨谷 茂隆;  中野 一志
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化合物半導体装置とその製造方法 专利
专利号: JP1993335258A, 申请日期: 1993-12-17, 公开日期: 1993-12-17
作者:  森田 悦男;  冨谷 茂隆;  山本 直;  石橋 晃
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