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Mobile Health (mHealth) technology for improved screening, patient involvement and optimising integrated care in atrial fibrillation: The mAFA (mAF-App) II randomised trial 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF CLINICAL PRACTICE, 2019, 卷号: 73, 期号: 7
作者:  Wang Zulu;  Xv Bing;  Liu Liming;  Jin Yuanzhe;  Xia Yunlong
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2019/12/04
Mobile Health (mHealth) technology for improved screening, patient involvement and optimising integrated care in atrial fibrillation: The mAFA (mAF-App) II randomised trial 期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF CLINICAL PRACTICE, 2019, 卷号: 73, 期号: 7
作者:  Guo, Yutao;  Lane, Deirdre A.;  Wang, Liming;  Chen, Yundai;  Lip, Gregory Y. H.
收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/12/05
Mobile Health (mHealth) technology for improved screening, patient involvement and optimising integrated care in atrial fibrillation: The mAFA (mAF-App) II randomised trial 期刊论文
2019, 卷号: 73, 期号: 7
作者:  Guo, Yutao;  Lane, Deirdre A.;  Wang, Liming;  Chen, Yundai;  Lip, Gregory Y. H.
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/03
中国第一台高性能白光中子源——CSNS反角白光中子源及其应用 期刊论文
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 页码: 2012-2022
作者:  唐靖宇;  安琪;  白怀勇;  鲍杰;  曹平
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/30
中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量 期刊论文
物理学报, 2019, 页码: 38-47
作者:  鲍杰;  陈永浩;  张显鹏;  栾广源;  任杰
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/30
中国散裂中子源反角白光中子束流参数 的初步测量 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 页码: 1-10
作者:  鲍杰;  陈永浩;  张显鹏;  栾广源;  任杰
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/12/30
中国第一台高性能白光中子源——CSNS反角白光中子源及其应用 期刊论文
原子能科学技术, 2019, 期号: 10, 页码: 2012-2022
作者:  唐靖宇;  安琪
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/27
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文
中国物理B（英文版）, 2014, 期号: 2, 页码: 426-430
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运)
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes 期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 期号: 02, 页码: 430-434
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Gu GD(顾国栋);  Dun SB(敦少博);  Yin JY(尹甲运)
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Cai SJ(蔡树军);  Dun SB(敦少博);  Liu B(刘波)
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23

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