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| 氮化物半導體雷射元件及其製造方法 专利
专利号: TWI347054B, 申请日期: 2011-08-11, 公开日期: 2011-08-11
作者: 小崎德也; 坂本惠司; 松村拓明
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| 半导体激光元件的制造方法 专利
专利号: CN1877934B, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27
作者: 松村拓明
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| 半导体激光元件的制造方法 专利
专利号: CN1877934B, 申请日期: 2011-07-27, 公开日期: 2011-07-27
作者: 松村拓明
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| 半導體雷射元件 专利
专利号: TWI258906B, 申请日期: 2006-07-21, 公开日期: 2006-07-21
作者: 松村拓明; 小谷靖長
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| 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法 专利
专利号: CN1578029A, 申请日期: 2005-02-09, 公开日期: 2005-02-09
作者: 松村拓明; 柳本友弥
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| 脊形波导型半导体激光器 专利
专利号: CN1503416A, 申请日期: 2004-06-09, 公开日期: 2004-06-09
作者: 松村拓明
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2004072072A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04
作者: 梅本 整; 松村 拓明; 落合 真尚
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