QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of Raman scattering from inclined GeSn/Ge dual-nanowire heterostructure on Ge substrate 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: Vol.463, 页码: 581-586 作者:  Han, Delong;  Ye, Han;  Song, Yuxin;  Zhu, Zhongyunshen;  Yang, Yuekun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Dual-nanowire  heterostructure  GeSn  alloy  Raman  scattering  Strain  relaxation   Analysis of Raman scattering from inclined GeSn/Ge dual-nanowire heterostructure on Ge substrate. 期刊论文 Applied Surface Science, 2019, 卷号: Vol.463, 页码: 581-586 作者:  Han, Delong;  Ye, Han;  Song, Yuxin;  Zhu, Zhongyunshen;  Yang, Yuekun 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/17 RAMAN  scattering  *GERMANIUM  compounds  *NANOWIRES  *HETEROSTRUCTURES  *RAMAN  spectroscopy  *STRESS  relaxation  (Mechanics)   InPBi Quantum Dots for Super-Luminescence Diodes 期刊论文 Nanomaterials, 2018, 卷号: Vol.8 No.9, 页码: 705 作者:  Liyao Zhang;  Yuxin Song;  Qimiao Chen;  Zhongyunshen Zhu;  Shumin Wang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 InPBi  quantum  dot  finite  element  method  super-luminescent  diode  emission  spectrum   一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器 专利 专利号: CN107039884A, 申请日期: 2017-08-11, 公开日期: 2017-08-11 作者:  朱忠赟珅;  宋禹忻;  李耀耀;  韩奕;  张振普 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18