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西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
专利 [1]
发表日期
2012 [1]
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用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构
专利
专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
作者:
罗伯特·M·法雷尔
;
马修·T·哈迪
;
太田裕朗
;
斯蒂芬·P·登巴尔斯
;
詹姆斯·S·斯佩克
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提交时间:2019/12/31
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