|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
  收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13
作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利
专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03
作者: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| III族氮化物半导体激光二极管 专利
专利号: CN102460866A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16
作者: 足立真宽; 德山慎司; 盐谷阳平; 京野孝史; 善积祐介
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利
专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01
作者: 善積祐介; 鹽谷陽平; 京野孝史; 住友隆道; 嵯峨宣弘
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 氮化物系半导体发光器件 专利
专利号: CN102150288A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利
专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16
作者: 秋田勝史; 鹽谷陽平; 京野孝史; 足立真寬; 德山慎司
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
