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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01 作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02 作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利 专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13 作者: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史
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| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03 作者: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽
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| III族氮化物半导体激光二极管 专利 专利号: CN102460866A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16 作者: 足立真宽; 德山慎司; 盐谷阳平; 京野孝史; 善积祐介
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| 第III族氮化物半導體雷射元件、製作第III族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利 专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01 作者: 善積祐介; 鹽谷陽平; 京野孝史; 住友隆道; 嵯峨宣弘
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| 氮化物系半导体发光器件 专利 专利号: CN102150288A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10 作者: 京野孝史; 盐谷阳平; 善积祐介; 秋田胜史; 上野昌纪
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| 第III族氮化物半導體雷射二極體 专利 专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16 作者: 秋田勝史; 鹽谷陽平; 京野孝史; 足立真寬; 德山慎司
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