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苏州纳米技术与纳米仿... [5]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [1]
发表日期
2018 [2]
2016 [2]
2015 [1]
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具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法
专利
申请日期: 2018-07-03,
作者:
张晓东,范亚明,蔡勇,张宝顺
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/04/01
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:
Fan, Yaming(范亚明)
;
Song, Liang(宋亮)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhao, Jie
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2019/03/27
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Qin, SJ(秦双娇)
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Li, WY
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2017/03/11
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, XD(张晓东)
;
Deng, XG(邓旭光)
;
Li, SM(李水明)
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2017/03/11
Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Zhang, ZL(张志利)
;
Fu, K(付凯)
;
Deng, XG(邓旭光)
;
Zhang, XD(张晓东)
;
Fan, YM(范亚明)
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2015/12/31
AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)
standard fluorine ion implantation
normally off
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