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| Observation of a p mass threshold enhancement in ψ′→π+π-J/ψ(J/ψ→γp) decay 期刊论文
中国物理C, 2010, 卷号: 第4期
作者: Mai DN(麦迪娜); M. N. Achasov; An L(安磊); An Q(安琪); An ZH(安正华)
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| 半導體雷射元件及其製造方法 专利
专利号: TW200849753A, 申请日期: 2008-12-16, 公开日期: 2008-12-16
作者: 川中敏; 中村厚; 萩元將人; 原英樹; 山本昌克
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3681460B2, 申请日期: 2005-05-27, 公开日期: 2005-08-10
作者: 瀧本 真恵; 苅田 秀孝; 上島 研一; 川中 敏; 田中 俊明
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| 光集積化素子 专利
专利号: JP2003060304A, 申请日期: 2003-02-28, 公开日期: 2003-02-28
作者: 百瀬 正之; 川中 敏
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| 光ディスク装置 专利
专利号: JP2000251299A, 申请日期: 2000-09-14, 公开日期: 2000-09-14
作者: 上島 研一; 川中 敏
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| 光情報処理装置およびこれに適した半導体発光装置 专利
专利号: JP1998270791A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
作者: 田中 俊明; 川中 敏; 百瀬 正之
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1998209553A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 川中 敏; 田中 俊明
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| 半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置 专利
专利号: JP1998154843A, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
作者: 川中 敏; 田中 俊明
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1995162082A, 申请日期: 1995-06-23, 公开日期: 1995-06-23
作者: 川中 敏; 田中 俊明
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1995030188A, 申请日期: 1995-01-31, 公开日期: 1995-01-31
作者: 川中 敏; 田中 俊明
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