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| 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 专利
专利号: CN110061419A, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
作者: 川上俊之; 太田将之; 川村亮太
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| 熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JPWO2015056489A1, 申请日期: 2017-03-09, 公开日期: 2017-03-09
作者: 川上 俊之; 有吉 章
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| 半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置 专利
专利号: CN104854766A, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者: 谷健太郎; 川上俊之; 有吉章
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| 半導体レーザ装置及び熱アシスト磁気記録ヘッド 专利
专利号: JP2014229337A, 申请日期: 2014-12-08, 公开日期: 2014-12-08
作者: 川上 俊之; 石田 真也
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| 半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス 专利
专利号: JP2014022379A, 申请日期: 2014-02-03, 公开日期: 2014-02-03
作者: 川上 俊之; 神川 剛
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| 氮化物半导体激光器及晶片 专利
专利号: CN101938085B, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
作者: 谷健太郎; 谷善彦; 川上俊之
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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者: 川上俊之; 神川刚; 谷健太郎
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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN101471536B, 申请日期: 2012-06-06, 公开日期: 2012-06-06
作者: 川上俊之; 神川刚; 谷健太郎
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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN102299481A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
作者: 谷健太郎; 川上俊之; 谷善彦
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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07
作者: 山下文雄; 伊藤茂稔; 山本秀一郎; 川上俊之
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