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| 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利号: CN1581610B, 申请日期: 2012-04-11, 公开日期: 2012-04-11
作者: 神川刚; 山田英司; 荒木正浩; 金子佳加
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| 氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN102280817A, 申请日期: 2011-12-14, 公开日期: 2011-12-14
作者: 山田英司; 神川刚; 荒木正浩
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| 氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN101540477B, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
作者: 山田英司; 神川刚; 荒木正浩
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN101119012A, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2008-02-06
作者: 神川刚; 山田英司; 荒木正浩
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| 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 专利
专利号: CN1758419A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12
作者: 荒木正浩; 山田英司; 汤浅贵之; 津田有三; 阿久津仲男
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP2000196143A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
作者: 種谷 元隆; 神川 剛; 毛利 裕一; 近藤 雅文; 山田 英司
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| 半導体レーザ用パッケージ 专利
专利号: JP1994005990A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14
作者: 石黒 敬英; 大塚 尚孝; 森本 泰司; 山田 茂博
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