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| 半导体发光元件以及其制造方法 专利
专利号: CN101772846A, 申请日期: 2010-07-07, 公开日期: 2010-07-07
作者: 市原隆志; 吉田裕史; 山田孝夫; 若井阳平
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| 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
作者: 中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治
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| 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 专利
专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
作者: 中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治
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| 窒化物半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3617565B2, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2005-02-09
作者: 山田 孝夫; 中村 修二
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| ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム 专利
专利号: JPWO2003005515A1, 申请日期: 2004-10-28, 公开日期: 2004-10-28
作者: 山田 孝夫
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| 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法 专利
专利号: JP2004221577A, 申请日期: 2004-08-05, 公开日期: 2004-08-05
作者: 稲垣 祐一; 松下 俊雄; 山田 孝夫
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| 窒化物半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3523700B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26
作者: 妹尾 雅之; 山田 孝夫; 中村 修二
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| 窒化物半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3431389B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-07-28
作者: 妹尾 雅之; 山田 孝夫; 中村 修二
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 窒化物半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3334624B2, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-10-15
作者: 山田 孝夫; 中村 修二
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| 窒化物半導体レーザダイオード 专利
专利号: JP3309953B2, 申请日期: 2002-05-24, 公开日期: 2002-07-29
作者: 山田 孝夫; 中村 修二
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
