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| 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利
专利号: CN1983751B, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
作者: 川上俊之; 山崎幸生; 山本秀一郎
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| 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置 专利
专利号: JP2008124485A, 申请日期: 2008-05-29, 公开日期: 2008-05-29
作者: 山崎 幸生; 伊藤 茂稔
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| 窒化物半導体レーザ素子および光学式情報記録装置 专利
专利号: JP2006269954A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05
作者: 山崎 幸生; 伊藤 茂稔
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| 半导体激光器件和设置有其的光信息记录设备 专利
专利号: CN1790844A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
作者: 山崎幸生
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| 半導体発光素子およびそれを使用した表示装置 专利
专利号: JP3511372B2, 申请日期: 2004-01-16, 公开日期: 2004-03-29
作者: 山崎 幸生; 伊藤 茂稔
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| 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置 专利
专利号: JP2002319744A, 申请日期: 2002-10-31, 公开日期: 2002-10-31
作者: 山崎 幸生; 伊藤 茂稔
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| 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利号: JP2002217498A, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-08-02
作者: 津田 有三; 湯浅 貴之; 伊藤 茂稔; 種谷 元隆; 山崎 幸生
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| 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置 专利
专利号: JP2001298243A, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2001-10-26
作者: 伊藤 茂稔; 山崎 幸生
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| 半導体レーザ素子および光学式情報再生装置 专利
专利号: JP2001085796A, 申请日期: 2001-03-30, 公开日期: 2001-03-30
作者: 伊藤 茂稔; 山崎 幸生; 種谷 元隆
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