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| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博
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| 半導体素子 专利
专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者: 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 山口 恭司; 中村 均
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| 光路変換装置及びこれを用いた光モジュール 专利
专利号: JP2009145457A, 申请日期: 2009-07-02, 公开日期: 2009-07-02
作者: 山口 恭司
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
作者: 山口 恭司; 小林 俊雅; 喜嶋 悟; 小林 高志; 朝妻 庸紀
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2006147879A, 申请日期: 2006-06-08, 公开日期: 2006-06-08
作者: 山口 恭司
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| 氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18
作者: 小林俊雅; 簗克典; 山口恭司; 中岛博
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| 氮基半导体激光器件和其生产方法 专利
专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19
作者: 山口恭司; 小林高志; 小林俊雅; 喜岛悟; 富冈聪
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| 半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法 专利
专利号: JP2000022275A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
作者: 山口 恭司; 土居 正人; 玉田 仁志
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| 半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP1999163461A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者: 玉田 仁志; 山口 恭司
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