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| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利
专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07
作者: 山下文雄; 伊藤茂稔; 山本秀一郎; 川上俊之
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| 半導体装置 专利
专利号: JP3034688B2, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-04-17
作者: 河野 敏弘; 魚見 和久; 山下 茂雄; 岡 聡彦; 菊池 悟
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
作者: 内田 憲治; 山下 茂雄; 中塚 慎一; 梶村 俊
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2685499B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
作者: 山下 茂雄; 河野 敏弘; 梶村 俊
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2656482B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24
作者: 吉沢 みすず; 山下 茂雄; 大石 昭夫; 梶村 俊
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| 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1995111360A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者: 山下 茂雄; 依田 亮吉; 加藤 佳秋; 佐々木 真二; 苅田 秀孝
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| 埋込型半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1995111361A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者: 山下 茂雄; 加藤 佳秋; 佐々木 真二; 依田 亮吉; 苅田 秀孝
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| 半導体レーザとその製造方法 专利
专利号: JP1993226772A, 申请日期: 1993-09-03, 公开日期: 1993-09-03
作者: 岡 聡彦; 山下 茂雄; 黒田 崇郎; 小野 佑一
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1993090695A, 申请日期: 1993-04-09, 公开日期: 1993-04-09
作者: 山下 茂雄; 黒田 崇郎; 岡 聡彦; 小野 佑一
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| 半導体レーザとその製法 专利
专利号: JP1993090694A, 申请日期: 1993-04-09, 公开日期: 1993-04-09
作者: 岡 聡彦; 黒田 崇郎; 山下 茂雄; 佐々木 義光; 河野 敏弘
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