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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07 作者:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利 专利号: CN1979984A, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2007-06-13 作者:  近江晋;  高谷邦启;  山下文雄;  种谷元隆 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18