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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2010034137A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12
作者: 田中 智毅; 細田 昌宏; 宮嵜 啓介
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP4284126B2, 申请日期: 2009-03-27, 公开日期: 2009-06-24
作者: 和田 一彦; 森本 泰司; 宮嵜 啓介; 上田 禎亮; 辰巳 正毅
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP4146153B2, 申请日期: 2008-06-27, 公开日期: 2008-09-03
作者: 宮嵜 啓介; 和田 一彦; 森本 泰司
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3985978B2, 申请日期: 2007-07-20, 公开日期: 2007-10-03
作者: 宮▲嵜▼ 啓介
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| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3676965B2, 申请日期: 2005-05-13, 公开日期: 2005-07-27
作者: 大櫃 義徳; 宮嵜 啓介; 藤井 良久
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| 半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3270815B2, 申请日期: 2002-01-18, 公开日期: 2002-04-02
作者: 宮▲嵜▼ 啓介; 兼岩 進治
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP3034177B2, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-04-17
作者: 宮嵜 啓介; 兼岩 進治
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1995170013A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04
作者: 兼岩 進治; 宮▲嵜▼ 啓介
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| 光半導体装置 专利
专利号: JP1993304313A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
作者: 大島 昇; 森本 泰司; 石住 隆司; 林 寛; 上田 禎亮
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