QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 抽取关节积液用注射器 专利 申请日期: 2015-03-04, 公开日期: 2015-03-04 作者:  何冰;  郭普;  孔宇驰;  吴佳豪;  熊峙宇 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/27 用于预防或治疗牙周病的组合物、牙齿咬合器及制作方法 专利 申请日期: 2014-10-08, 公开日期: 2014-10-08 作者:  郭普;  孔宇驰;  何冰;  吴佳豪;  熊峙宇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/27 Computation efficient yet accurate surface potential based analytic model for symmetric DG MOSFETs to predict current-voltage characteristics 其他 2009-01-01 Song, Yan; Zhang, Lining; Zhang, Jian; Zhou, Xingye; Che, Yuchi; He, Jin; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 Computation Efficient yet Accurate Surface Potential Based Analytic Model for Symmetric DG MOSFETs to Predict Current-Voltage Characteristics 其他 2009-01-01 Song, Yan; Zhang, Lining; Zhang, Jian; Zhou, Xingye; Che, Yuchi; He, Jin; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 non-classical MOS transistor  double-gate MOSFETs  device physics  surface potential model  computation efficiency  DOUBLE-GATE MOSFETS  SOI MOSFETS  CHARGE   An Analytic Model of the Silicon-Based Nanowire Schottky Barrier MOSFET 其他 2009-01-01 Zhou, Xingye; Che, Yuchi; Zhang, Lining; He, Jin; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 SIMULATION   An Analytic Model of the Silicon-Based Nanowire Schottky Barrier MOSFET (CPCI-S收录) 会议论文 NANOTECH CONFERENCE & EXPO 2009, VOL 3, TECHNICAL PROCEEDINGS: NANOTECHNOLOGY 2009: BIOFUELS, RENEWABLE ENERGY, COATINGS FLUIDICS AND COMPACT MODELING 作者:  Zhou, Xingye[1,2];  Che, Yuchi[1,2];  Zhang, Lining[1,2];  He, Jin[1,2];  Chan, Mansun[3] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/17 Computation Efficient yet Accurate Surface Potential Based Analytic Model for Symmetric DG MOSFETs to Predict Current-Voltage Characteristics (CPCI-S收录) 会议论文 NANOTECH CONFERENCE & EXPO 2009, VOL 3, TECHNICAL PROCEEDINGS: NANOTECHNOLOGY 2009: BIOFUELS, RENEWABLE ENERGY, COATINGS FLUIDICS AND COMPACT MODELING 作者:  Song, Yan[1,2];  Zhang, Lining[2];  Zhang, Jian[2];  Zhou, Xingye[1,2];  Che, Yuchi[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/17 non-classical MOS transistor  double-gate MOSFETs  device physics  surface potential model  computation efficiency