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河北大学 [29]
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专利 [4]
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RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
期刊论文
河北大学学报(自然科学版), 2015, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 243-246,252
作者:
闫小兵[1]
;
史守山[2]
;
娄建忠[3]
;
郑树凯[4]
;
曹智[5]
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/21
IGZO
沉积压强
光学性质
电学性质
低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
期刊论文
人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 3014-3018
作者:
闫小兵[1]
;
李玉成[2]
;
闫铭[3]
;
杨涛[4]
;
贾信磊[5]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/21
阻变存储器
低限制电流
开关机制
导电细丝
含Ag 电极的非晶In-Ga-Zn-O 薄膜的阻变开关特性
期刊论文
人工晶体学报, 2014, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 811-814,0819
作者:
娄建忠[1]
;
贾长江[2]
;
郝华[3]
;
张二鹏[4]
;
史守山[5]
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/21
阻变开关
IGZO 薄膜
Ag 电极
开关机制
一种微波铁电复合薄膜电容器及其制备方法
专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-11-05
作者:
刘保亭[1]
;
王世杰[2]
;
闫小兵[3]
;
郭哲[4]
;
贾长江[5]
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/21
一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-08-20
作者:
闫小兵[1]
;
陈英方[2]
;
郝华[3]
;
娄建忠[4]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/21
一种透明阻变存储器及其制备方法
专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-09-18
作者:
闫小兵[1]
;
张二鹏[2]
;
娄建忠[3]
;
刘保亭[4]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/21
真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究
期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 2304-2308
作者:
闫小兵[1]
;
张二鹏[2]
;
贾长江[3]
;
史守山[4]
;
娄建忠[5]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/21
In-Ga-Zn-O薄膜
退火温度
磁控溅射
光学带隙
一种阻变存储元件及其制备方法
专利
申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-25
作者:
闫小兵[1]
;
贾长江[2]
;
郝华[3]
;
陈英方[4]
;
娄建忠[5]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/21
溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响
期刊论文
人工晶体学报, 2013, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1343-1346,1352
作者:
张锁良[1]
;
贾长江[2]
;
郝彦磊[3]
;
史守山[4]
;
张二鹏[5]
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/21
In-Ga-Zn-O薄膜
溅射功率
电阻率
禁带宽度
透过率
含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究
期刊论文
人工晶体学报, 2012, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 1276-1279,1285
作者:
闫小兵[1]
;
史守山[2]
;
贾长江[3]
;
张二鹏[4]
;
李钗[5]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/21
阻变开关
STO
Ti反应电极
开关机制
脉冲激光沉积
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