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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 专利 专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23 作者:  罗伯特·M·法雷尔;  马修·T·哈迪;  太田裕朗;  斯蒂芬·P·登巴尔斯;  詹姆斯·S·斯佩克 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 光学素子及び発光装置 专利 专利号: JP2008305969A, 申请日期: 2008-12-18, 公开日期: 2008-12-18 作者:  岡本 國美;  太田 裕朗;  小比賀 晃;  中川 聡 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導體雷射 专利 专利号: TW200845524A, 申请日期: 2008-11-16, 公开日期: 2008-11-16 作者:  岡本國美;  太田裕朗 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザダイオード 专利 专利号: JP2008226865A, 申请日期: 2008-09-25, 公开日期: 2008-09-25 作者:  岡本 國美;  太田 裕朗 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18