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| 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利
专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03
作者: 石橋 明彦; 萬濃 正也; 大仲 清司; 武石 英見
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| 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
作者: 上山 智; 鈴木 政勝; 上野山 雄; 大仲 清司; 高森 晃
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
作者: 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 大仲 清司
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
作者: 上山 智; 大仲 清司; 上野山 雄; 鈴木 政勝
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP3206160B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04
作者: 石橋 明彦; 木戸口 勲; 大仲 清司
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| 半導体レーザおよびその作製方法 专利
专利号: JP1999220221A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10
作者: 木戸口 勲; 伴 雄三郎; 大仲 清司
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2956425B2, 申请日期: 1999-07-23, 公开日期: 1999-10-04
作者: 萬濃 正也; 大仲 清司
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2949927B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
作者: 大仲 清司; 伴 雄三郎
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2900706B2, 申请日期: 1999-03-19, 公开日期: 1999-06-02
作者: 石橋 明彦; 保科 順一; 木戸口 勲; 大仲 清司
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| 半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利号: JP1998022563A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
作者: 木戸口 勲; 大仲 清司; 高森 晃; 黒川 英雄; 白鳥 哲也
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