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基于激光二极管的中子注量在线测试系统
专利
专利号: CN206906595U, 申请日期: 2018-01-19, 公开日期: 2018-01-19
作者:
刘敏波
;
陈伟
;
黄绍艳
;
王祖军
;
肖志刚
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
基于激光二极管的中子注量在线测试系统及方法
专利
专利号: CN106646583A, 申请日期: 2017-05-10, 公开日期: 2017-05-10
作者:
陈伟
;
刘敏波
;
黄绍艳
;
王祖军
;
肖志刚
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/12/31
大会病例研讨
会议论文
作者:
江波
;
周正根
;
余强
;
顾雅佳
;
庄奇新
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/19
临床诊断
计算机断层扫描
磁共振成像
图像特征
LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析
期刊论文
半导体学报, 1999, 期号: 9, 页码: 776-779
作者:
唐本奇
;
罗晋生
;
耿斌
;
李国政
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提交时间:2020/01/07
高压器件
晶体管
表面掺杂浓度
LDMOS
新型器件
比导通电阻
结终端扩展
内场限环
击穿电压
高压JTE终端边界元电场分析
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1998, 期号: 1, 页码: 79-85
作者:
梁苏军
;
唐本奇
;
武自录
;
罗晋生
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/07
边界元
结终端技术
数值分析
单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析
期刊论文
半导体学报, 1998, 期号: 1, 页码: 39-43
作者:
唐本奇
;
高玉民
;
罗晋生
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/07
场限环
表面电荷效应
归一化
环间距
击穿电压
表面电荷密度
BEM analysis of electric field in high-voltage JTE
期刊论文
Guti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research and Progress of Solid State Electronics, 1998, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 79-85
作者:
Liang, Sujun
;
Tang, Benqi
;
Wu, Zilu
;
Luo, Jingsheng
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/07
Quasi-three-dimensional optimum analysis of breakdown voltage of floating field limiting rings
期刊论文
Hsi-An Chiao Tung Ta Hsueh/Journal of Xi'an Jiaotong University, 1998, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 5-8
作者:
Tang, Benqi
;
Gao, Yumin
;
Luo, Jinsheng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/07
场限环耐压的准三维优化分析
期刊论文
西安交通大学学报, 1998, 期号: 3, 页码: 7-10
作者:
唐本奇
;
高玉民
;
罗晋生
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/07
击穿电压
场限环
横向曲率
环间距
Analysis of breakdown voltage for surface charge effect on floating field limiting ring structure
期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1998, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 38-42
作者:
Tang, Benqi
;
Guo, Yumin
;
Luo, Jinsheng
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提交时间:2020/01/07
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