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| 一种铟镓砷短波红外探测器 专利
专利号: 201610407146.7, 申请日期: 2016-06-12, 公开日期: 2017-05-03
作者: 1 李平 2 李淘 3 李雪 4 邵秀梅 5 唐恒敬 6 龚海梅
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| 含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证 期刊论文
红外与毫米波学报, 2016, 卷号: 35, 页码: 662-666
作者: 李庆法[1]; 李雪[2]; 唐恒敬[3]; 邓双燕[4]; 曹高奇[5]
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| 一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法 专利
专利号: 201510296103.1, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-03-22
作者: 1曹高奇 2 唐恒敬 3 程吉凤 4石 铭5王 瑞6邵秀梅7李庆法 8 李 雪 9 龚海梅
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| 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210019745.3, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06
1 邓洪海 2 唐恒敬 3 李 淘 4 李雪 5 魏鹏 6 朱耀明 7 王云姬 8 杨波 9 龚海梅
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| 一种台面型铟镓砷探测器制备方法 专利
专利号: 201110317200.6, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者: 1朱耀明 2李 雪3龚海梅 4唐恒敬 5李 淘 6魏 鹏 7王云姬8邓洪海 9刘诗嘉10 张在实 11汤亦聃 12 乔 辉
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| 一种应用于线列红外焦平面探测器的高稳定性倒焊基板 专利
专利号: 201110174762.X, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1李雪 2邵秀梅 3唐恒敬 4魏鹏 5龚海梅
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| 一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器 专利
专利号: 200910197301.7, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14
作者: 1 李雪 2唐恒敬3方家熊4龚海梅 5段微波 6刘定权7张永刚
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| 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺 专利
专利号: 200710173512.8, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1 唐恒敬 2 张可锋 3 吴小利4 朱慧 5 李永富6 宁锦华 7 李淘8 汪洋 9 李雪10 龚海梅
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| 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法 专利
专利号: 200710171389.6, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1张可锋2唐恒敬3吴小利4徐国庆5李雪 6朱龙源7龚海梅
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| InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片 专利
专利号: 200710047624.9, 申请日期: 2009-01-01, 公开日期: 2011-07-06
作者: 1唐恒敬 2吴小利3张可锋4汪洋5刘向阳6李永富 7吴家荣8李雪9龚海梅
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