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Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7
作者:
Ji, Qinggang
;
Liu, Jie
;
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Ye, Bing
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/11/10
Ferroelectric random access memory
Total ionizing dose
Single event effect
TCAD simulation
Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86
作者:
Hou, Mingdong
;
Zhao, Peixiong
;
Luo, Jie
;
Ji, Qinggang
;
Ye, Bing
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2018/05/31
Annealing
Flash memories
Heavy ions
Multiple cell upsets
Radiation effects
Plate fixation with autogenous bone grafting for longstanding humeral shaft nonunion A retrospective study of 6 cases
期刊论文
MEDICINE, 2018, 卷号: 97
作者:
Feng, Dongxu
;
Zhang, Jun
;
Zhu, Yangjun
;
Wu, Shufang
;
Shan, Junping
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/11/26
autogenous bone grafting
humerus
locking compression plate
nonunion
longstanding
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM
会议论文
作者:
Yan, Weiwei
;
Wang, Bin
;
Zeng, Chuanbin
;
Geng, Chao
;
Liu, Tianqi
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2018/08/20
Heavy ion irradiation
Single event upset
Active delay element
SRAM cell
Radiation hardened
Silicon-on-insulator
Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices
会议论文
作者:
Xi, Kai
;
Luo, Jie
;
Liu, Jie
;
Sun, Youmei
;
Hou, Mingdong
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2018/08/20
Swift heavy ions
Ion flux
Single event effect
Memory device
Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices
会议论文
作者:
Xi, Kai
;
Sun, Youmei
;
Luo, Jie
;
Liu, Jie
;
Liu, Tianqi
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2018/08/20
Swift heavy ions
Ion flux
Single event effect
Memory device
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 437-442
作者:
Wang, Bin
;
Zeng, Chuanbin
;
Geng, Chao
;
Liu, Tianqi
;
Khan, Maaz
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/05/31
Heavy ion irradiation
Single event upset
Active delay element
SRAM cell
Radiation hardened
Silicon-on-insulator
Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 431-436
作者:
Luo, Jie
;
Liu, Jie
;
Sun, Youmei
;
Hou, Mingdong
;
Xi, Kai
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/05/31
Swift heavy ions
Ion flux
Single event effect
Memory device
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