QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 生长氮化镓晶体的方法 专利 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21 作者:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19 作者:  元木健作;  弘田龙;  冈久拓司;  中畑成二 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13 作者:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21 作者:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 制备GaN晶体衬底的方法 专利 专利号: CN1645567A, 申请日期: 2005-07-27, 公开日期: 2005-07-27 作者:  冈久拓司 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18