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| 生长氮化镓晶体的方法 专利 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21 作者: 冈久拓司; 元木健作; 上松康二; 中畑成二; 弘田龙
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| 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19 作者: 元木健作; 弘田龙; 冈久拓司; 中畑成二
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| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13 作者: 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二
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| 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21 作者: 元木健作; 冈久拓司; 中畑成二; 弘田龙; 上松康二
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| 制备GaN晶体衬底的方法 专利 专利号: CN1645567A, 申请日期: 2005-07-27, 公开日期: 2005-07-27 作者: 冈久拓司
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