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光发射次模块改良结构 专利
专利号: CN209542892U, 申请日期: 2019-10-25, 公开日期: 2019-10-25
作者:  内田俊一
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导热性片材及其制备方法、以及半导体装置 专利
专利号: CN105283952A, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2016-01-27
作者:  荒卷庆辅;  芳成笃哉;  石井拓洋;  内田信一;  伊东雅彦
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1997051139A, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18
作者:  田中 俊明;  渡辺 明禎;  内田 憲治;  赤松 正一
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1997036473A, 申请日期: 1997-02-07, 公开日期: 1997-02-07
作者:  田中 俊明;  内田 憲治;  渡辺 明禎;  赤松 正一;  皆川 重量
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1997008395A, 申请日期: 1997-01-10, 公开日期: 1997-01-10
作者:  田中 俊明;  内田 憲治;  渡辺 明禎;  赤松 正一;  皆川 重量
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