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科研机构
西安光学精密机械研究... [4]
内容类型
专利 [4]
发表日期
2010 [1]
2006 [3]
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生长氮化镓晶体的方法
专利
专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21
作者:
冈久拓司
;
元木健作
;
上松康二
;
中畑成二
;
弘田龙
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
氮化物半导体基板及其制造方法
专利
专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
作者:
上松康二
;
佐藤史隆
;
弘田龙
;
中畑成二
;
中幡英章
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/18
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
专利
专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
作者:
元木健作
;
冈久拓司
;
中畑成二
;
弘田龙
;
上松康二
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/26
单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
专利
专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
作者:
元木健作
;
冈久拓司
;
中畑成二
;
弘田龙
;
上松康二
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/01/18
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