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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thin-film LDMOS on partial SOI with improved breakdown voltage and suppressed kink effect 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS, 2014, 卷号: 101, 期号: 1 作者:  Hu, Yue;  Wang, Gaofeng;  Chang, Sheng;  Wang, Hao;  Huang, Qijun 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/05 breakdown voltage (BV)  kink effect  lateral double-diffused MOS (LDMOS)  thin-film partial silicon-on-insulator (TF PSOI)