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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Snapback-free RC-IGBT with Si3N4 Trench and P-type Pillar 会议论文 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01 作者:  Cui, Lei;  Zhang, Bi Jun;  Wu, Peng Fei;  Ma, Li;  Zhang, Ru Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 RC-IGBT  snapback effect  Si3N4 trench  p-type pillar   Insight into multiple-triggering effect in DTSCRs for ESD protection 期刊论文 半导体学报（英文版）, 2017 Lizhong Zhang; Yuan Wang; Yize Wang; Yandong He 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 electrostatic discharge (ESD) diode-triggered silicon-controlled rectifier (DTSCR) double snapback transmission line pulse (TLP) test  electrostatic discharge (ESD)  diode-triggered silicon-controlled rectifier (DTSCR)  double snapback  transmission line pulse (TLP) test   MEASUREMENTS OF THE PERSISTENT CURRENT DECAY AND SNAPBACK EFFECT IN NB 3 SN ACCELERATOR PROTOTYPE MAGNETS AT FERMILAB 会议论文 作者:  G.Velev;  G.Chlachidze;  J.DiMarco;  V.Kashikhin 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/21