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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 354 - 356 作者:  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Baoshun Zhang (张宝顺);  Baoshun Zhang (张宝顺);  Hua Qin（秦华） 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  enhancement-mode (E-mode)  high-frequency  nanochannel array (NCA)   Enhancement-Mode Operation of Nanochannel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 ieee electron device letters, 2012 Liu, Shenghou; Cai, Yong; Gu, Guodong; Wang, Jinyan; Zeng, Chunhong; Shi, Wenhua; Feng, Zhihong; Qin, Hua; Cheng, Zhiqun; Chen, Kevin J.; Zhang, Baoshun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  enhancement-mode (E-mode)  high-frequency  nanochannel array (NCA)  ION-IMPLANTATION  VOLTAGE