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| 脉冲电流调控n型多晶硅中磷的多相迁移及微区分凝机制 项目
2019-
作者: 李鹏廷
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| n型铸造多晶硅均匀掺杂技术 项目
2019-
作者: 李鹏廷
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| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今 ; 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽
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| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利
专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 赵佳; 朱阳军; 胡爱斌; 卢烁今
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| N型铸造多晶硅的稳定掺杂研究 项目
2018-
作者: 李鹏廷
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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| N型直拉多晶硅中磷元素分布及电性能研究 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者: 王孟磊
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| 一种砷、磷元素共掺制备n型多晶硅靶材的铸造工艺 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-25
作者: 王凯; 李鹏廷; 谭毅
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/02 |
| 物理法太阳能级多晶硅铸锭工艺的研究 学位论文
2017, 2016
唐清
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 我国单晶市场热潮正在兴起 期刊论文
网络, 2017, 期号: 1, 页码: 1
作者: 杨鲲鹏
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2017/08/17
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