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Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
ACS PHOTONICS, 2019, 卷号: 6, 页码: 1990-1995
作者:
Yu, Qingnan
;
Zheng, Ming
;
Tai, Hanxu
;
Lu, Wei
;
Shi, Yue
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/30
InGaAs/GaAs
strains
quantum confined lasers
indium-rich clusters
dual wavelengths
polarization
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures With Indium-Rich Clusters
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 215, 期号: 23, 页码: 1800455
作者:
Meng Yulin
;
Wang Lianshan
;
Zhao Guijuan
;
Li Fangzheng
;
Li Huijie
;
Yang Shaoyan
;
Wang Zhanguo
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/11/15
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:
Sun, Y.
;
Zhou, K.
;
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/09/17
x-ray-diffraction
high-power
gan
dislocation
relaxation
films
Optics
Correlation between the structural and cathodoluminescence properties in InGaN/GaN multiple quantum wells with large number of quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2014, 卷号: 32, 期号: 5
作者:
Yang, J
;
Yang H(杨辉)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/12/01
OPTICAL-PROPERTIES
STRAIN RELAXATION
GROWTH
LAYER
DOTS
Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 15
作者:
Yang, H(杨辉)
;
Li, DY(李德尧)
;
Zhang, SM(张书明)
;
Wang, HB(王怀兵)
;
Liu, JP(刘建平)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2014/01/15
C-PLANE GAN
HYDROGEN TREATMENT
INDIUM SEGREGATION
SUBSTRATE
DEFECTS
Process for controlling indium clustering in ingan leds using strain arrays
专利
专利号: US7666696, 申请日期: 2010-02-23, 公开日期: 2010-02-23
作者:
HERSEE, STEPHEN D.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/24
Enhancement of exciton-phonon interaction in ingan quantum wells induced by electron-beam irradiation
期刊论文
Japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: 3
作者:
Ding, Kai
;
Zeng, Yiping
;
Duan, Ruifei
;
Wei, Xuecheng
;
Wang, Junxi
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:81/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Electroluminescence afterglow from indium tin oxide/si-rich sio2/p-si structure
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1306-1309
作者:
Wang Xiao-Xin
;
Zhang Jian-Guo
;
Cheng Bu-Wen
;
Yu Jin-Zhong
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
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