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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interlayer Induced the Enhancement of Photoresponse Performance for ZnO Nanorods/CuS Heterojunction 期刊论文 IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 23, 期号: 2 作者:  Mei, Jun;  Zhou, Hai;  Ye, Cong;  Yang, Lu;  Song, Zehao 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 CuS  hererojunction  interface  photodetector  ZnO NRs   Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文 Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828 J. C. Sun; Q. J. Feng; J. M. Bian; D. Q. Yu; M. K. Li; C. R. Li; H. W. Liang; J. Z. Zhao; H. Qiu; G. T. Du 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD  chemical-vapor-deposition  zinc-oxide  n-zno  nitrogen  films  fabrication  substrate   Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2011, 卷号: 131, 页码: 825-828 作者:  Sun, Jingchang;  Feng, Qiuju;  Bian, Jiming;  Yu, Dongqi;  Li, Mengke 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction  LED  UV electroluminescence  MOCVD   Normal incidence p-i-n ge heterojunction photodiodes on si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 Optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407 作者:  Zhou, Zhiwen;  He, Jingkai;  Wang, Ruichun;  Li, Cheng;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/12 Germanium  Hererojunction  Photodiode  Tensile strain   Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407 Zhou ZW (Zhou Zhiwen); He JK (He Jingkai); Wang RC (Wang Ruichun); Li C (Li Cheng); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/08/17 Germanium  Hererojunction  Photodiode  Tensile strain