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Growth and electrical properties of high-quality InGaAsBi thin films using gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 56, 期号: 3
作者:
Zhou, SX (Zhou, Shuxing)
;
Qi, M (Qi, Ming)
;
Ai, LK (Ai, Likun)
;
Wang, SM (Wang, Shumin)
;
Xu, AH (Xu, Anhuai)
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/05/19
Influence of doping in inp buffer on photoluminescence behavior of inpbi
期刊论文
Japanese journal of applied physics, 2016, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Wang, Peng
;
Pan, Wenwu
;
Cao, Chunfang
;
Wu, Xiaoyan
;
Wang, Shumin
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/09
Optical properties and band bending of ingaas/gaasbi/ingaas type-ii quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of applied physics, 2016, 卷号: 120, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Pan, Wenwu
;
Zhang, Liyao
;
Zhu, Liang
;
Li, Yaoyao
;
Chen, Xiren
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/09
Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots
期刊论文
Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1
作者:
Wang,Peng
;
Pan,Wenwu
;
Wu,Xiaoyan
;
Liu,Juanjuan
;
Cao,Chunfang
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/09
Inas
Quantum dot
Gaasbi
Mbe
Thermal stability
Enhancement of Two-Dimensional Electron-Gas Properties by Zn Polar ZnMgO/MgO/ZnO Structure Grown by Radical-Source Laser Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF NANOMATERIALS, 2015, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Meng, Li
;
Zhang, Jingwen
;
Li, Qun
;
Hou, Xun
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/02
Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Liu, QB
;
Wang, HL
;
Wang, Y
收藏
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2013/04/17
PL spectrum
InAs/InP quantum dot
GSMBE
Growth temperature
Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+
Wang, K
;
Gu, Y
;
Fang, X
;
Zhou, L
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Zhang, YG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/04/17
compound semiconductor
molecular beam epitaxy
InAlGaAs
X-ray diffraction
photoluminescence
Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2012, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1983-1987
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Yan, JY
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/04/17
Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 86-90
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Chen, P
;
Yue, L
;
Liu, QB
;
Wang, HL
;
Ma, CH
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/04/17
Semiconductor laser
Quantum dot laser
Indium phosphide
Gas source molecular beam epitaxy
Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Yue, L
;
Liu, QB
;
Wang, HL
;
Wang, Y
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Optics
Applied
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