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Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors
期刊论文
Npj 2d Materials and Applications, 2020, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 7
作者:
Y. P. Jia,Z. M. Shi,W. T. Hou,H. Zang,K. Jiang,Y. Chen,S. L. Zhang,Z. B. Qi,T. Wu,X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2021/07/06
Molecular Containers Derived from [60]Fullerene through Peroxide Chemistry
期刊论文
ACCOUNTS OF CHEMICAL RESEARCH, 2019, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1793-1801
作者:
Gan, Liangbing
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/12/02
Hydroxyl Group Adsorption on GaN (0001) Surface: First Principles and XPS Studies
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 48, 页码: 2430-2437
作者:
Wang, Hengshan
;
Zhang, Heqiu
;
Liu, Jun
;
Xue, Dongyang
;
Liang, Hongwei
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/02
GaN
DFT
hydroxyl group
XPS
Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics
Local-to-remote cortical connectivity in amnestic mild cognitive impairment
期刊论文
NEUROBIOLOGY OF AGING, 2017, 卷号: 56, 期号: 0, 页码: 138-149
作者:
Zhang, Yi-Wen
;
Zhao, Zhi-Lian
;
Qi, Zhigang
;
Hu, Yang
;
Wang, Yin-Shan
收藏
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2017/08/23
Amnestic mild cognitive impairment
Functional homogeneity
Local connectivity
Remote connectivity
Default mode network
Controlled Synthesis of Nitrogen-Doped Graphene on Ruthenium from Azafullerene
期刊论文
NANO LETTERS, 2017
Fei, Xiangmin
;
Neilson, Joshua
;
Li, Yanbang
;
Lopez, Vanessa
;
Garrett, Simon J.
;
Gan, Liangbing
;
Gao, Hong-Jun
;
Gao, Li
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
Nitrogen-doped graphene
nitrogen-containing sole precursor
scanning tunneling microscopy
doping properties
azafullerene
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LITHIUM-ION BATTERIES
MAGNETIC-PROPERTIES
EPITAXIAL GRAPHENE
MONOLAYER GRAPHENE
CARBON-FILMS
C-60
HETEROFULLERENES
TEMPERATURE
PERFORMANCE
Surface morphology and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on freestanding GaN (0001) substrates
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2016
作者:
Zhou, Kun
;
Ren, Huaijin
;
Liu, Jianping(刘建平)
;
Ikeda, Masao
;
Ma, Yi
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
宽禁带半导体材料的光电特性研究
学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:
王丹丹
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2015/11/30
宽禁带半导体
氧化锌
石墨
碳化硅
硒化锌
晶格动力学
Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7
作者:
Zhou, K(周堃)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Ikeda, M
;
Zhang, SM(张书明)
;
Li, DY(李德尧)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/12/31
Surface structure
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III-V materials
Si图形衬底上外延半极性(10-11)GaN
学位论文
2015, 2015
刘建明
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/02/23
半极性GaN, 表面形貌, 结晶质量
semiploar GaN, surface morphology Crystal quality
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