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苏州纳米技术与纳米仿... [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
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Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD
期刊论文
Applied Surface Science, 2010, 卷号: 257, 期号: 4, 页码: 1181-1184
作者:
Qiu YX (邱永鑫)
;
Huang J (黄俊)
;
Xu K (徐科)
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提交时间:2011/03/13
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