×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [283]
上海微系统与信息技... [52]
西安光学精密机械研... [31]
西安理工大学 [17]
金属研究所 [7]
西安交通大学 [5]
更多...
内容类型
期刊论文 [373]
会议论文 [36]
专利 [29]
学位论文 [6]
成果 [3]
发表日期
2014 [6]
2013 [8]
2011 [26]
2010 [25]
2009 [24]
2008 [20]
更多...
学科主题
半导体物理 [114]
半导体材料 [105]
光电子学 [25]
Physics, ... [11]
Chemistry,... [9]
Physics, A... [8]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共447条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Interface engineering enhanced near-infrared electroluminescence in an n-ZnO microwire/p-GaAs heterojunction
期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 14, 页码: 24773-24787
作者:
J. T. Li
;
B. H. Li
;
M. Meng
;
L. L. Sun and M. M. Jiang
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2023/06/14
低温生长铝镓砷光折变效应的研究
期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:
钟梓源
;
何凯
;
苑云
;
汪韬
;
高贵龙
收藏
  |  
浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2019/09/24
光折变
铝镓砷
泵浦-探测
载流子寿命
Stabilization of GaAs photoanodes by in situ deposition of nickel-borate surface catalysts as hole trapping sites
期刊论文
SUSTAINABLE ENERGY & FUELS, 2019, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 814-822
作者:
Jiang, Chaoran
;
Wu, Jiang
;
Moniz, Savio J. A.
;
Guo, Daqian
;
Tang, Mingchu
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2019/06/20
Research on Time Jitter of GaAs Photoconductive Semiconductor Switches in the Negative Differential Mobility Region
期刊论文
2019, 卷号: 40, 页码: 291-294
作者:
Zhang, Lin
;
Shi, Wei
;
Cao, Juncheng
;
Wang, Shaoqiang
;
Dong, Chengang
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Time jitter
gallium arsenide (GaAs)
photoconductive semiconductor switches
negative differential mobility (NDM)
inter-valley transition of carriers
Positive and Negative Symmetric Pulses with Fast Rising Edge Generated from a GaAs Photoconductive Semiconductor Switch
期刊论文
2019, 卷号: 9
作者:
Shi, Wei
;
Yang, Lei
;
Hou, Lei
;
Liu, Zenan
;
Xu, Nuo
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/20
gallium arsenide (GaAs)
photoconductive semiconductor switches (PCSSs)
fast rising edge
Transient Characteristics of Interdigitated GaAs Photoconductive Semiconductor Switch at 1-kHz Excitation
期刊论文
2019, 卷号: 40, 页码: 1136-1138
作者:
Xu, Ming
;
Liu, Xiaofei
;
Li, Mengxia
;
Liu, Kai
;
Qu, Guanghui
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Gallium arsenide (GaAs)
high gain
photoconductive semiconductor switch
avalanche
repetition rate
Room-temperature large photoinduced magnetoresistance in semi-insulating gallium arsenide-based device
期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 067204-1-067204-6
作者:
He, Xiong
;
Sun, Zhi-Gang*
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/04
GaAs
magnetoresistance
carrier recombination
The Role of the Photo-Generated Carrier in Surface Flashover of the GaAs Photoconductive Semiconductor Switch
期刊论文
2018, 卷号: 6, 页码: 179-182
作者:
Wang, Shaoqiang
;
Shi, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Photoconducting devices
surface discharges
Gallium arsenide
electric breakdown
An Experimental Study on LT-GaAs Photoconductive Antenna Breakdown Mechanism
期刊论文
2018, 卷号: 65, 页码: 1043-1047
作者:
Ma, Cheng
;
Yang, Lei
;
Dong, Chengang
;
Wang, Shaoqiang
;
Shi, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Breakdown
low-temperature-grown gallium arsenide (LT-GaAs)
photoconductive antenna (PCA)
terahertz (THz)
thermal effect
Experimental investigation of loss and gain characteristics of an abnormal InxGa1-xAs/GaAs quantum well structure
期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2018, 卷号: 16
作者:
Jia, Yan
;
Yu, Qingnan
;
Li, Fang
;
Wang, Mingqing
;
Lu, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/12/30
Gallium compounds
III-V semiconductors
Indium
Indium alloys
Optical pumping
Quantum well lasers
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor alloys
Semiconductor quantum wells
Strain
Edge-emitting device
Experimental investigations
Gain characteristic
Material growth
Multiple wavelengths
Photoluminescence spectrum
Quantum well structures
Strain configurations
Gallium alloys
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace