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Understanding and modulation of resistive switching behaviors in PbZr0.52Ti0.48O3/La0.67Sr0.33MnO3/Nb:SrTiO3 multilayer junctions
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 574, 页码: 11
作者:
Zheng, Hang Yu
;
Bai, Yu
;
Shao, Yan
;
Yu, Hai Yi
;
Chen, Bing
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2022/07/01
Ferroelectric multilayer junction
Resistive switching
Ferroelectric field effect
Depletion layer width
Coupled Current Jumps and Domain Wall Creeps in a Defect-Engineered Ferroelectric Resistive Memory
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 页码: 10
作者:
Huang, Biaohong
;
Xie, Zhongshuai
;
Feng, Dingshuai
;
Li, Lingli
;
Li, Xiaoqi
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/07/01
BiFeO3
current jump
domain wall creep
ferroelectric resistive switching
oxygen vacancy
space-charge-limited current
Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel junction
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11
作者:
Ma, Chao
;
Luo, Zhen
;
Huang, Weichuan
;
Zhao, Letian
;
Chen, Qiaoling
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2020/11/26
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Resistive Switching Behavior in Ferroelectric Heterostructures
期刊论文
SMALL, 2019, 卷号: 15, 期号: 32, 页码: 13
作者:
Wang, Zhan Jie
;
Bai, Yu
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/02/02
conductivity
ferroelectric heterostructures
ferroelectricity
resistive switching
Manipulation of the Electronic Transport Properties of Charge-Transfer Oxide Thin Films of NdNiO3 Using Static and Electric-Field-Controllable Dynamic Lattice Strain
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2019, 卷号: 11, 期号: 3
作者:
Yan, Jian-Min
;
Xu, Meng
;
Chen, Ting-Wei
;
Yang, Ming-Min
;
Liu, Fei
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2019/12/26
Anisotropic resistance switching in hexagonal manganites
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: 99, 期号: 5
作者:
Wang, Xueyun
;
Yang, Danni
;
Zhang, Hui-Min
;
Song, Chuangye
;
Wang, Jing
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/12/26
Electroresistance of Pt/BaTiO3/LaNiO3 ferroelectric tunnel junctions and its dependence on BaTiO3 thickness
期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 卷号: 6
作者:
Wang, Xi
;
Wu, Ming
;
Wei, Fansen
;
Zhang, Yiteng
;
Zheng, Chunyan
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/11/19
ferroelectric memory
pulsed laser deposition
ferroelectric tunnel junctions
resistive switching
High performance and mechanism of the resistive switching device based on lead halide thin films
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 卷号: Vol.52 No.13, 页码: 135103
作者:
Yuli He
;
Guokun Ma
;
Hengmei Cai
;
Chunlei Liu
;
Huaiwu Zhang and Hao Wang
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/17
Impact of chemical doping on resistive switching behavior in Zirconium-doped CHNHPbI based RRAM
期刊论文
Organic Electronics, 2019
作者:
Yuli He
;
Guokun Ma
;
Xiaowen Zhou
;
Hengmei Cai
;
Chunlei Liu
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/17
resistive random-access memory
CH3NH3PbI3 perovskite
Zirconium doping
space-charge limited conduction
Schottky emission
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