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	Structural, optical and electrical properties of ternary Al2xIn2-2xO3 films prepared by MOCVD 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2015, 卷号: 422, 页码: 24-28 作者: Feng, Xianjin; Zhao, Cansong; Li, Zhao; Ma, Jin 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/17 A1. Crystal structure A3. Metalorganic chemical vapor deposition B1. Oxides B2. Semiconducting materials
	Characterization of homoepitaxial β-Ga2O3films prepared by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 404, 页码: 75-79 作者: Du X.; Mi W.; Luan C.; Li Z.; Xia C. 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/12/17 A1. X-ray diffraction A3. Metal-organic chemical vapor deposition B1. Oxides B2. Semiconducting materials
	Epitaxial growth of Ga_2O_3 thin films on MgO (110) substrate by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 354, 期号: 1, 页码: 93-97 作者: Wei Mi; Jin Ma; Zhen Zhu; Caina Luan; Yu Lv 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/23 A1. X-ray diffraction A3. Metal-organic chemical vapor deposition B1. Oxides B2. Semiconducting materials
	Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al_2O_3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 334, 期号: 1, 页码: 62-66 作者: Lei Zhang; Yongliang Shao; Xiaopeng Hao 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/12/23 A1. stresses A3. hydride vapor phase epitaxy B1. gallium compounds B1. nitrides B2. semiconducting iii-v materials
	Growth habit control of ZnO single crystals in molten hydrous alkali solutions 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 336, 期号: 1, 页码: 56-59 作者: Sufang Zhang; Shuhua Yao; Jing Li; Lanling Zhao; Jiyang Wang 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2019/12/23 A1. Crystal morphology A2. Growth from hydrous alkali melts B1. Zinc oxide B2. Semiconducting 11-VI materials
	Preparation and characterization of single crystalline SnO_2 films deposited on TiO_2(0 01)byMOCVD 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 599-601 作者: Caina Luan; Jin Ma; Zhen Zhu; Lingyi Kong; Qiaoqun Yu 收藏 \| 浏览/下载：2/0 \| 提交时间：2019/12/26 A3. Metalorganic chemical vapor deposition B1. Oxides B2. Semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials
	A facile route to prepare boron nitride hollow particles at 450 ℃ 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2009, 期号: 14, 页码: 3737-3741 作者: Changhui Sun; Chunli Guo; Xiaojian Ma; Liqiang Xu; Yitai Qian 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/26 A1. Crystal morphology A1. Nanostructures B1. Nanomaterials B1. Nitrides B2. Semiconducting Ⅲ-V materials
	Structural And Photoluminescence Properties Of Single Crystalline Sno_2:in Films Deposited On α-al_2o_3 (0 0 0 1) By Mocvd 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3718-3721 作者: Xianjin Feng; Jin Ma; Fan Yang; Feng Ji; Fujian Zong 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/26 a1. xrystal structure a1. x-ray diffraction a3. metalorganic chemical vapor deposition b1. semiconducting Ⅱ-Ⅵ materials
	Preparation and characterization of novel SeO2/TiO2 nanocomposite 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: Vol.304 No.1, 页码: 42-46 作者: Tian, Yu-Peng; Chen, Xiao-Jing; Zhang, Sheng-Yi syzhangi@126.com; Yang, Jia-Xiang; Jin, Bao-Kang 收藏 \| 浏览/下载：5/0 \| 提交时间：2019/04/22 A1. Characterization B1. Nanomaterials B2. Semiconducting materials
	The Huang-Rhys factor and the strength of exciton-LO phonon coupling in ZnO/Mg0.15Zn0.85O superlattices 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2007, 卷号: 10, 页码: 287-290 作者: Huo, Bingzhi; Hu, Lizhong; Zhang, Heqiu; Zhao, Ziwen; Li, Jiao 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/27 B1. zinc compounds B2. semiconducting II-VI materials

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