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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
Characterization of 1.2 kV 4H-SiC power MOSFETs and Si IGBTs at cryogenic and high temperatures
会议论文
作者:
Tian, Kai
;
Qi, Jinwei
;
Mao, Zhangsong
;
Yang, Song
;
Song, Wenjie
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/19
Cryogenic temperatures
High temperature
Interface traps
Switching characteristics
Switching performance
Transfer characteristics
Trench mosfets
Wide temperature ranges
New method of total ionizing dose compact modeling in partially depleted silicon-on-insulator mosfets
期刊论文
Chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 7, 页码: 4
作者:
Huang, Jian-Qiang
;
He, Wei-Wei
;
Chen, Jing
;
Luo, Jie-Xin
;
Lu, Kai
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/09
Investigation of Self-heating Effect in SOI-LDMOS by Device Simulation
其他
2012-01-01
Lun, Zhiyuan
;
Du, Gang
;
Qin, Jieyu
;
Wang, Yijiao
;
Wang, Juncheng
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
MOSFETS
Reactive Ion Etching of Germanium Using SF6/CHF3/He gas mixture
其他
2012-01-01
Li, Min
;
Lin, Meng
;
Yun, Quanxin
;
Li, Zhiqiang
;
An, Xia
;
Li, Ming
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
MOSFETS
Investigation of the OFF-State Behavior in Deep-Submicrometer NMOSFETs Under Heavy-Ion Irradiation by 3-D Simulation
期刊论文
2011
Xue, Shoubin
;
Wang, Pengfei
;
Huang, Ru
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/10
Heavy-ion irradiation
NMOSFETs
OFF-state leakage
physical damage region
SHALLOW-TRENCH ISOLATION
THIN GATE OXIDES
CMOS TECHNOLOGIES
SOFT BREAKDOWN
DRAIN CURRENT
MOSFETS
CHARGE
IMPACT
Physical-Based Threshold Voltage and Mobility Models Including Shallow Trench Isolation Stress Effect on nMOSFETs
期刊论文
ieee 纳米技术汇刊, 2011
Wu, Wei
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
;
Sun, Lei
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
Mobility
shallow trench isolation (STI) stress
strain
threshold voltage
N-MOSFETS
DIFFUSION
CMOS
SI
DEVICES
LAYERS
A compact Force Sensor with Low Temperature Drift Design Using a Standard CMOS Process
会议论文
5th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, NEMS 2010
作者:
Benxian Peng
;
Ting Yu
;
Fengqi Yu
;
Yuchun Feng
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2015/08/21
Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Liu, XY
;
Du, XF
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
N-MOSFETS
SILICON
FABRICATION
TECHNOLOGY
LAYERS
RELAXATION
ELECTRON
SIMOX
SOI
Impact of proton-radiation-induced spacer damage on the dc characteristics degradation in deep-submicron metal-oxide-semiconductor field effect transistors
期刊论文
应用物理杂志, 2009
Xue, Shoubin
;
Huang, Ru
;
Wang, Pengfei
;
Wang, Wenhua
;
Wu, Dake
;
Pei, Yunpeng
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
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