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Annealing-induced evolution in interface stability and electrical performance of sputtering-driven rare-earth-based gate oxides
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 778, 期号: 无, 页码: 579-587
作者:
Wang, Die
;
He, Gang
;
Liang, Shuang
;
Liu, Mao
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2020/03/31
Dy2O3 gate dielectrics
High-k
Annealing temperature
Optical properties
Electrical characteristics
A Study on Organic Thin-Film Transistors Using Hf-La Oxides With Different La Contents as Gate Dielectrics
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 页码: 1107-1112
作者:
Han, Chuan Yu
;
Ma, Yuan Xiao
;
Tang, Wing Man
;
Wang, Xiao Li
;
Lai, P. T.
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/11/19
high-kappa dielectric
organic thin-film transistor (OTFT)
Hf-La oxide
hysteresis
Solution-processed HfGdO gate dielectric thin films for CMOS application: Effect of annealing temperature
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: Vol.731, 页码: 150-155
作者:
Li,WD He,G Zheng,CY Liang,S Zhu,L Jiang,SS
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/04/22
ELECTRICAL-PROPERTIES
BAND ALIGNMENT
INTERFACE
OXIDES
STACK
MODULATION
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Liang, S.
;
Zhu, L.
;
Li, W. D.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Chemistry
Xps Electrical Properties
Cmos Devices
Effect of gate voltage polarity on the ionic liquid gating behavior of NdNiO3/NdGaO3 heterostructures
期刊论文
APL MATERIALS, 2017, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 1-7
作者:
Dong, Yongqi
;
Xu, Haoran
;
Luo, Zhenlin
;
Zhou, Hua
;
Fong, Dillon D.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/05/25
Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Lv, J. G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Gd Incorporation
Xps
Electrical Properties
Sol-gel
Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: Vol.699, 页码: 415-420
作者:
Li,W. D.
;
Lv,J. G.
;
Jin,P.
;
Xiao,D. Q.
;
Wang,P. H.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/22
THIN-FILM TRANSISTORS
HIGH-PERFORMANCE
LOW-TEMPERATURE
HYBRID FILMS
FABRICATION
DEPOSITION
CONSTANT
OXIDES
STACK
HFO2
Toward High-Performance Top-Gate Ultrathin HfS2 Field-Effect Transistors by Interface Engineering
期刊论文
small, 2016
作者:
Chen B(陈波)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/05/09
Homoepitaxial srtio3(111) film with high dielectric performance and atomically well-defined surface
期刊论文
Scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 7
作者:
Liang, Yan
;
Li, Wentao
;
Zhang, Shuyuan
;
Lin, Chaojing
;
Li, Chao
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/09
Evolutionary search for new high-k dielectric materials: methodology and applications to hafnia-based oxides
期刊论文
ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION C-CRYSTAL STRUCTURE COMMUNICATIONS, 2014, 卷号: 70, 页码: 76-84
作者:
Zeng, Qingfeng
;
Oganov, Artem R.
;
Lyakhov, Andriy O.
;
Xie, Congwei
;
Zhang, Xiaodong
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/07/05
Computational Materials Discovery
Hafnia-based Oxides
Dielectric Materials
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