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科研机构
半导体研究所 [2]
兰州理工大学 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2022 [1]
2010 [2]
学科主题
光电子学 [1]
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First-principles Study of Doped (Silicon, Germanium, Tin) Single-wall Carbon Nanotubes
期刊论文
Cailiao Daobao/Materials Reports, 2022, 卷号: 36, 期号: 9
作者:
Lu, Xuefeng
;
Wang, Kuan
;
Cui, Zhihong
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2022/06/20
Absorption spectroscopy
Atoms
Calculations
Semiconductor doping
Single-walled carbon nanotubes (SWCN)
Solar cells
Doped silicon
Doped systems
Electronic.structure
First principles
First-principle study
Germanium tins
Silicon germaniums (SiGe)
Single Wall
Single-wall carbon nanotube
Sn-doped
Quantitative strain characterization of sige heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
Physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435
作者:
Zhao, C. W.
;
Xing, Y. M.
;
Yu, J. Z.
;
Han, G. Q.
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Si/ge heterostructures
Strain
High-resolution transmission electron
Microscopy
Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435
Zhao CW (Zhao C. W.)
;
Xing YM (Xing Y. M.)
;
Yu JZ (Yu J. Z.)
;
Han GQ (Han G. Q.)
收藏
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浏览/下载:100/3
  |  
提交时间:2010/09/07
Si/Ge heterostructures
Strain
High-resolution Transmission electron
microscopy
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