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Effects of barium substitution on the optical and electrical properties of PLZT transparent electro-optical ceramics
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2019, 卷号: 45, 期号: 14, 页码: 17890
作者:
Xu, Zhewei
;
Zeng, Xia
;
Cao, Zhaodong
;
Ling, Liang
;
Qiu, Pingsun
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2019/12/26
PLZT
Dielectric properties
Ferroelectric properties
Optical properties
Electro-optic properties
Hot pressing
Initial Test of Optoelectronic High Power Microwave Generation From 6H-SiC Photoconductive Switch
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 7, 页码: 1167
作者:
Wu, Qilin
;
Zhao, Yuxin
;
Xun, Tao
;
Yang, Hanwu
;
Huang, Wei
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/12/26
6H silicon carbide (6H-SiC)
class B microwave power amplifier (MPA)
photoconductive semiconductor switches (PCSS)
microwave photonics (MWP)
The Test of a High-Power, Semi-Insulating, Linear-Mode, Vertical 6H-SiC PCSS
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 1837
作者:
Wu, Qilin
;
Xun, Tao
;
Zhao, Yuxin
;
Yang, Hanwu
;
Huang, Wei
收藏
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2019/12/26
6H silicon carbide (6H-SiC)
high-voltage encapsulation
photoconductive semiconductor switch (PCSS)
A New Method of Accurately Measuring Photoconductive Performance of 4H-SiC Photoconductive Switches
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 271
作者:
Han, Wei-Wei
;
Huang, Wei
;
Zhuo, Shi-Yi
;
Xin, Jun
;
Liu, Xue-Chao
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2019/12/26
Photoconductive switch
silicon carbide
intrinsic photoconductivity
pulse-power system switches
on-state resistance
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Jun Wang
;
Xi Jiang
;
Zongjian Li
;
Z. John Shen
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/13
MOSFET
Silicon carbide
Logic gates
Insulated gate bipolar transistors
Switches
Leakage currents
Silicon
Failure analysis
gate control
hybrid switch (HyS)
IGBT
short-circuit (SC)
Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Wang, Jun
;
Li, Zongjian
;
Jiang, Xi
;
Zeng, Cheng
;
Shen, Z. John
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/13
Recent development of wide bandgap semiconductor SiC substrates and device [宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展]
期刊论文
Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams, 2019, 卷号: 31, 期号: 4
作者:
Xiao L.
;
Xu X.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
Device failure
Photoconductive semiconductor switch
Physical vapor transport method
Power device
Silicon carbide
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Wang, J
;
Jiang, X
;
Li, ZJ
;
Shen, ZJ
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/17
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Jun Wang
;
Zongjian Li
;
Xi Jiang
;
Cheng Zeng
;
Z. John Shen
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/13
Switches
Insulated
gate
bipolar
transistors
Silicon
carbide
MOSFET
Logic
gates
Silicon
Gate
control
hybrid
switch
IGBT
junction
temperature
mosfet
power
loss
SiC
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Wang, J
;
Li, ZJ
;
Jiang, X
;
Zeng, C
;
Shen, ZJ
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/17
Gate control
hybrid switch
IGBT
junction temperature
MOSFET
power loss
SiC
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