|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法 专利
申请日期: 2017-11-21,
作者: 张景文; 谢倩; 陈旭东; 王明海; 卜忍安
  收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种插入层复合结构及其制作方法 专利
专利号: CN201410671215.6, 申请日期: 2017-07-18, 公开日期: 2015-03-04
作者: 白云 ; 申华军; 汤益丹; 刘新宇; 杨成樾
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
-
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2017/06/02
|
| SiC基高压大功率光导开关关键技术研究 学位论文
2017
作者: 谢倩
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/11/26
|
| N沟道4H-SiC IGBT的模拟与关键工艺研究 学位论文
2017
作者: 刘金豆
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/11/26
|
| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军; 白云; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘敏
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2016/05/26
|
| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
刘胜北
收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2015/12/08
|
