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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/05/06
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/29
宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者:  申德振
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨圣
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/08/27
SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用 期刊论文
工业仪表与自动化装置, 2020, 期号: 2020-06, 页码: 75-79
作者:  米保全;  李许军;  王春霞
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/12/18
空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  梁晓雯
收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2020/11/19
基于多层离子凝胶电解质的钠离子电容器 学位论文
: 中国科学院大学, 2020
作者:  李伯森
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/09/07
一种大口径全谱段高光谱载荷高稳定性探测系统 专利
专利号: CN201920709087.8, 申请日期: 2020-02-28, 公开日期: 2020-02-28
作者:  张兆会;  王锋;  孙丽军;  李立波;  王爽
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/12/25
一种高功率半导体激光器散热方法 专利
专利号: CN109842015A, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者:  不公告发明人
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30
高体积分数SiC_p/Al复合材料预制体凝胶注模成型的研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  程思扬
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/24

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