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SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109449757A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者:  舒斌;  高玉龙;  张利锋;  胡辉勇;  王斌
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Efficient ab initio analysis of quantum confinement and band structure effects in ultra-scaled Si1?xGex gate-all-around and fin field-effect transistors for sub-10?nm technology nodes 期刊论文
Journal of Computational Electronics, 2018, 卷号: Vol.17 No.4, 页码: 1399-1409
作者:  Liu, Jie;  Tang, Chuanxiang;  Mo, Pinghui;  Lu, Jiwu
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Quantitative depth profiling of Si1–xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry 期刊论文
Thin Solid Films, 2016, 卷号: Vol.607, 页码: 25-31
作者:  Belykh,S.F.;  Yurasov,D.V.;  Drozdov,Y.N.;  Gololobov,G.P.;  Yunin,P.A.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24
Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013
作者:  M.Kolahdouz;  Wang GL(王桂磊);  M.Moeen;  A.Abedin;  Luo J(罗军)
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1.3μm和1.55μmSi1―xGex波长信号分离器与Si1―xGex/Si应变超晶 … 期刊论文
半导体学报, 1998, 期号: 2, 页码: 115-122
作者:  李宝军;  李国正
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Si／Si1—xGex应变层异质结双极晶体管（HBT）交直流特性的仿真研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 764
作者:  郭宝增[1]
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p型Si1―xGex应变层中重掺杂禁带窄带的计算 期刊论文
电子科学学刊, 1996, 期号: 6, 页码: 639-643
作者:  吴文刚;  张万荣
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