已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 徐健凯 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2021/06/22 |
| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利 专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13 作者: 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者: 韩五月 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/09/23
|
| 溶胶-凝胶法制备异质外延c轴取向GaN薄膜研究 学位论文 2018 作者: 完彦少君 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/11/05
|
| 绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 期刊论文 电力电子技术, 2017 作者: 黄森; 康玄武; 王鑫华; 刘新宇 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2018/05/15 |
| GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利 专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 作者: 刘斌; 陶涛; 智婷; 张荣; 谢自力 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| WLED用Mn4+掺杂氟化物红色荧光粉的合成及发光性能研究 学位论文 2017, 2016 陈文威 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2017/06/20
|
| AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬 收藏  |  浏览/下载:75/0  |  提交时间:2016/06/01
|
| 基于半导体氧化锌的氧化物界面的研究 学位论文 2016, 2015 周华 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2017/06/20
|
| 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利 专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24 作者: 李亮; 刘应军; 汤宝; 王任凡 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |