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Light Extraction Analysis of A1GaInP Based Red and GaN Based Blue/Green Flip-Chip Micro-LEDs Using the Monte Carlo Ray Tracing Method
期刊论文
Micromachines, 2019, 卷号: 10, 期号: 12, 页码: 13
作者:
S.Y.Lan
;
H.Wan
;
J.Zhao
;
S.J.Zhou
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
micro-scale light emitting diode,light extraction efficiency,sapphire,substrate,encapsulation,emitting-diodes,high-power
Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate
期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6
作者:
Jiang, T
;
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Li, PX
;
Huang, J(黄俊)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/11
高效率大功率LED的材料外延和器件研制
学位论文
2013, 2012
张洁
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/02/14
金属有机化合物气相沉积
X光衍射
光荧光
大功率LED
图形衬底
应力释放层
InGaN/GaN多量子阱
接触层
Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)
X-ray diffraction (XRD)
photoluminescence (PL)
high power LED
Patterned sapphire substrate (PSS)
the stress release layer
InGaN / GaN multi-quantum well (MQW)
contact layer
simulation of ingan/gan light-emitting diodes with patterned sapphire substrate
会议论文
12th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2012, Shanghai, China, August 28, 2012 - August 31, 2012
Sheng Yang
;
Xia Chang Sheng
;
Simon Li Z.M.
;
Cheng Li Wen
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/22
Computer simulation
Efficiency
Extraction
Finite difference time domain method
Gallium nitride
Optoelectronic devices
Sapphire
Semiconductor quantum wells
Three dimensional computer graphics
Time domain analysis
Effect of Patterned Sapphire Substrate Shape on Light Output Power of GaN-Based LEDs
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2011, 卷号: 23, 期号: 14, 页码: 944-946
作者:
Liu, JP (刘建平)
;
Fan, YY (范亚明)
;
Yang, H (杨辉)
;
Kong, JJ (孔俊杰)
;
Wang, HB (王怀兵)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/08/24
EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY
EMITTING-DIODES
ENHANCEMENT
EPILAYERS
BLUE
Investigation of a gan nucleation layer on a patterned sapphire substrate
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Wu Meng
;
Zeng Yi-Ping
;
Wang Jun-Xi
;
Hu Qiang
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Wu Meng
;
Zeng Yi-Ping
;
Wang Jun-Xi
;
Hu Qiang
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2021/02/02
Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Wu Meng
;
Zeng Yi-Ping
;
Wang Jun-Xi
;
Hu Qiang
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/02/02
提高GaN基LED发光效率的研究
学位论文
2011, 2010
朱丽虹
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/07/17
GaN基LED
GaN-based LED
蒙托卡罗方法
Monte Carlo photon-raytracing method
MOCVD
MOCVD
InGaN/GaN 多量子阱
InGaN/GaN MQW
欧姆接触
ohmic contact
侧向外延过生长
LEO technique
极化效应
polarization effect.
内量子效率。
Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.68502
Wu M
;
Zeng YP
;
Wang JX
;
Hu Q
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浏览/下载:49/2
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提交时间:2011/07/05
LIGHT-EMITTING-DIODES
ULTRAVIOLET
GROWTH
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