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Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017
Wang, Xiaoye
;
Yang, Wenyuan
;
Wang, Baojun
;
Ji, Xianghai
;
Xu, Shengyong
;
Wang, Wei
;
Chen, Qing
;
Yang, Tao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Nanowires
Surfaces
Metalorganic chemical vapor deposition
Selective-area growth
Nanomaterials
InAs
III-V NANOWIRES
HIGHLY UNIFORM
TRANSISTORS
HETEROEPITAXY
DIRECTION
SILICON
ATOMS
GAAS
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US9196808, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2015-11-24
作者:
TAKAO, MASAKAZU
;
SAKAI, MITSUHIKO
;
SENDA, KAZUHIKO
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2020/01/13
Broadband second-harmonic generation in orientation-patterned GaAs
期刊论文
2015, 卷号: 17, 页码: 1253-1257
作者:
Yin, Ming
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/04
Enhancing the curie temperature of ferromagnetic semiconductor (ga,mn)as to 200 k via nanostructure engineering
期刊论文
Nano letters, 2011, 卷号: 11, 期号: 7, 页码: 2584-2589
作者:
Chen, Lin
;
Yang, Xiang
;
Yang, Fuhua
;
Zhao, Jianhua
;
Misuraca, Jennifer
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Magnetic semiconductors
Magnetic properties of nanostructures
Magnetotransport phenomena
Molecular-beam epitaxy
Ordered inas nanodots formed on the patterned gaas substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
作者:
Jin, Lan
;
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Wang, Zhanguo
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/05/12
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of inas/gaas quantum dot: simulation and experiment
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 7
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Zhang, H. Y.
;
Zhou, G. Y.
;
Li, T. F.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned gaas (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Jin, Peng
;
Xu, Bo
;
Ye, Xiaoling
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2019/05/12
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Wang Xiu-Ping
;
Yang Xiao-Hong
;
Han Qin
;
Ju Yan-Ling
;
Du Yun
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
V-groove substrate
Quantum wires
Gaas
Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
Jin, L
;
Zhou, HY
;
Qu, SC
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2012/02/06
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GROWTH
SEMICONDUCTORS
NANOSTRUCTURES
COMPUTATION
INGAAS
Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703
作者:
Yang XH
;
He JF
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浏览/下载:57/7
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提交时间:2011/07/05
V-groove substrate
quantum wires
GaAs
EPITAXIAL-GROWTH
TRANSISTOR
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